800 vatli quyosh paneli

Izoh: Talabga binoan mos keladigan frame rangi va kabel uzunligi

1. Kafedra n-tipidagi HJT texnologiyasi

Levering 210mm wafers va yarim kesilgan hujayra dizayni yuqori yorug'likni singdirish va energiya konversiyasining samaradorligi uchun N-tipdagi bifara HJT texnologiyasini birlashtiradi. Tuproqli kameralar bilan 18bb ​​(USBAR) konfiguratsiyasi ichki qarshilikni kamaytiradi va joriy to'plamni yaxshilaydi.

2. Qo'llash qobiliyati va samaradorligi

Maksimal elektr energiyasi va 24,39% gacha bo'lgan modulning maksimal ishlab chiqarish quvvati bilan energiya energiyasini zichligini oshiradi. Innovatsion stencil bosib chiqarish jarayoni va kumush bilan qoplangan mis lentalarni quvvat berishning minimal yo'qotishini ta'minlash, samarali ishlashni optimallashtirish.

3,4,1% Yuqoriga qaraganda oldingi oldingi chiqish

HJT arxitekturasi va takomillashtirilgan elektron harakatchanligi tufayli ushbu panelning oldingi energiya ishlab chiqarishda ideal energetika avlodiga to'g'ri keladi.

4.Excondcuction va ishonchlilik

Bogni qo'zg'atgan tanazzulga (B 0-) qopqoqni yo'q qilish uchun Boronsiz materiallar bilan muhandis bo'lgan), u letay va Pidga mustahkam qarshilik ko'rsatadi. Har yilgi buzilish darajasi past (<0.3%) ensures long-term energy yield stability.

Maksimal energiya yig'im-terim uchun 5.95% bahosi

Yuqori baholash panelga orqa tomonda aks ettirilgan yorug'likning 95 foizini tashkil etishga imkon beradi, eriydigan va kuzatuv tizimlarida energiya ishlab chiqarishni sezilarli darajada oshiradi.

STC (standart test shartlari): Nurralash 1000 Vt / ㎡, hujayra harorati 25 daraja, havo massasi 1,5.

BSTC (Bahocial Stance Test shartlari): 1000 W / ㎡, orqa tomonni orqaga qaytarish 135 W / ㎡, havo massasi 1,5, atrof-muhit harorati 25 daraja.

1. Silikon Weff Preparat

Moddiy materiallar: 80 mm N - tipidagi Monokristalning silikalini (Boron-kislorod kontentidan foydalanadi (B 0-}

Yuzaki teksturar: yorug'likni singdirish uchun mikro tüsped sirtini yaratish uchun etchlash.

2. HJT uyaligi

Si-qatlamlarni cho'ktirish:

A-Si qatlamlari: vodorodlangan amorf kremnoni (A-Si: H) plazma kengroq bug'langan kimyoviy suv quyish (PECVD) orqali vergulning ikkala tomonida. Bu zaryadlash tartibini samarali ajratish uchun hosil bo'ladi.

TCO qoplamalari: shaffof harakati (masalan, ito yoki zno) sirtni rioya qilish va o'tkazuvchanlikni yaxshilash uchun terapevt (masalan, ito yoki zno).

Meteralizatsiya:

Ekran bosib chiqarish: Qarshilikni minimallashtirish va joriy to'plamni yaxshilash uchun oldingi elektrodlar uchun kumushrang mis podshohini (18bb) chop etish stencil.

Orqa tomonlar: Uzoq kontaktlar uchun lazerli ablasiyasi va metall po'sti.

3. Yarim kesilgan uyali aloqa

Lazerni kesish: Uners ichki qarshilikni kamaytirish va soyali bag'rikenglikni yaxshilash uchun yarim hujayralarga bo'linadi.

Internyolyce: Kumush bilan qoplangan mis lentalar seriyani / parallel ravishda, lehimchilik yoki harakatlantiruvchi yopishtiruvchidan foydalanib, ketma-ket yarim hujayralarni ulaydi.

4. Moduly Majlis

Lamlanish:

Qatlamchoplar Stacking: hujayralar old oynadan, eva qamchi va zaxirasi va zaxirasi uchun (yoki ikki oyog'i uchun bir-biriga o'xshash).

Vakuum laminatsiyasining yuqori harorati (140-150 daraja) rishtalar qatlamlari germetik muhrlashni ta'minlash.

Freym & Jadral oyog'i: Alyuminiy freymlari va qo'shinli birikmalar mexanik aloqalari va elektr aloqalari uchun ajratilgan kabellar qo'shiladi.

Sinov va sifat nazorati

Elektr sinovi: elektr energiyasini ishlab chiqarish (800W gacha), samaradorlik (24,39%) va bahayxi (95%) tekshirish uchun IV navbatni o'lchash vositasi.

Ishonchlilik testlari:

Termal velosiped: haroratning haddan tashqari ko'payishi uchun tezlashtirilgan qarish.

Namlik - sinovdan o'tish: Yuqori namlik va muzlatish sharoitlariga ta'sir qilish.

UB qarshilik: UB Light Ko'rib chiqishlar emirilishni baholash.

Peyn-PID / Patidni tekshirish: O'RNATIShDA IShIQ-ASOSIY ASOSLANISH VA YANGILIKLARNING O'RNATISh VA YANGILIKLARNING YANGILIKLARIDAGINI KO'RSATILGAN.

5.Kayfientlar jarayoniga qurilgan afzalliklar

Past haroratli jarayon: HJT<200°C manufacturing avoids thermal stress on silicon, reducing defects.

Kumush bilan qoplangan mis lentalari: elektrodlar uchun iqtisodiy va yuqori martabali eritma.

Ikki-shisha dizayni: chidamlilik va narxlarni ushlashni yaxshilaydi.

Ushbu integrallashgan jarayon modul yuqori energiyadan yuqori energiyani, uzoq muddatli ishonchliligi va Topon yoki Perologiya texnologiyalari bilan taqqoslaganda.

Jingsun, mahsulotlar mijozlarga xavfsiz, samarali va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror va barqaror.

1. Global transport tarmog'i va multimodal transport

O'tkazma va transport xavfini kamaytirish uchun AI algoritmiga asoslangan eng maqbul yo'nalishni jadal rejalashtirish.

2. aqlli qadoqlash va xavfsizlikni himoya qilish

Qayta ishlash uchun qayta ishlanadigan chuqurchalar + EPE ko'pikli astar + EFF Faam Larton, Estra 3E xalqaro transport sinovidan o'tish, modullar yiqilish va tebranish paytida amalga oshirilishini ta'minlash.

3. Maxsuslashtirilgan xizmat

Harorat nazorati bilan bog'liq konteyner transportini baland balandlikda va juda sovuq / issiq joylar uchun ta'minlang.

Fotovoltaik elektr stantsiyasida yukni tushirish va o'rnatish bo'yicha qo'llanmani taqdim eting.

Moslashuvchan to'lov: turli xil mijozlarning ehtiyojlarini qondirish uchun CIF, FOB, EXW va boshqa savdo shartlarini qo'llab-quvvatlash.

Issiq teglar: 800 vatli quyosh paneli, Xitoy 800 vatli quyosh paneli ishlab chiqaruvchilar, etkazib beruvchilar, zavod